特許

J-GLOBAL ID：200903058166329284

セラミック積層電子部品の製造方法

発明者： 川上 博之 ,  河野 芳明 ,  久保寺 紀之
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059562
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316094
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】 内部電極重なり部分と重なり合っていない部分との間の段差が生じ難く、デラミネーションなどの不良が生じ難い積層セラミック電子部品の工程を複雑化させることなく得ることを可能とする方法を提供する。【解決手段】 第1の支持体上に薄膜形成法により全面に第1層目の金属膜12を形成し、次に、パターン孔13aを有するレジスト層13を形成し、パターン孔13a内に薄膜形成法により第2層目の金属膜14を形成し、別の支持体上に形成されたグリーンシート16上に金属膜を転写し、金属膜一体化グリーンシートを形成し、金属膜一体化グリーンシートを積層して積層体を得、得られた積層体を焼成することにより第1層目の金属膜を絶縁物化し、第2層目の金属膜により内部電極を構成し、セラミックスを焼結させる、セラミック積層電子部品の製造方法。

請求項（抜粋）：

支持体上に第1層目の金属膜を薄膜形成方法により形成する工程と、前記第1層目の金属膜上にパターン孔が設けられたレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層のパターン孔内に、第1層目の金属膜より厚みの大きい第2の金属膜を薄膜形成方法により形成する工程と、前記レジスト層及び第1,第2の金属膜を内部に有するセラミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体を加熱しセラミックスを焼成するとともに、第1層目の金属膜を絶縁物化し、かつ前記レジスト層を消滅させる工程とを備えることを特徴とする、セラミック積層電子部品の製造方法。

IPC (3件)：

H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 311 ,  H01G 4/30

FI (3件)：

H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 311 D ,  H01G 4/30 311 F