特許

J-GLOBAL ID：200903058174213724

光減衰を行う、MEMS装置、可変光減衰システム、光減衰方法およびMEMS可変光減衰器の製造方法

発明者： ヴィジャヤクマー アール ドゥーラー ,  エドワード エイ ヒル ,  ラマスワミー・マハデワン ,  マーク ディビッド ウォルターズ ,  ロバート・エル・ウッド
出願人/特許権者： ジェイディーエス ユニフェイズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290481
公開番号（公開出願番号）：特開2001-125014
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 光パワーの全範囲に渡って光の減衰作用を行なう性能を有するMEMS可変光減衰器を提供する。【解決手段】 マイクロ電子基板12の上面に熱駆動によってアーチ梁を湾曲するMEMSアクチュエータ14を形成する。MEMSアクチュエータ14のアーチ梁にアクチュエータ部材14を結合し、アクチュエータ部材14の先端には光シャッタ16を結合する。マイクロ電子基板12の開口18には光ビーム20を通す。MEMSアクチュエータ14を加熱駆動して光シャッタ16を、光ビーム20の経路を横切るように動かし、光ビーム20を減衰する。所望の減衰位置でアクチュエータ部材22をクランプ要素24でクランプして光シャッタを減衰位置に保持する。

請求項（抜粋）：

ほぼ平面的な表面を有するマイクロ電子基板と、前記マイクロ電子基板のほぼ平面的な表面上に配置されたマイクロ電子アクチュエータと、前記マイクロ電子基板のほぼ平面的な表面上に配置された光シャッタとを備え、前記光シャッタは、前記マイクロ電子アクチュエータにより駆動され複数の位置の何れか一つの位置で保持されるべく設けられており、前記光シャッタが、各位置において光パワーを異なる比率で遮断し、以って、前記光シャッタが、光パワー範囲内において光パワーの遮断比率を可変とした、光ビームを光学的に減衰するMEMS(マイクロ電気機械システム)装置。