半導体素子の製法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161270
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079003
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】密着性の改善された透明導電膜を得る。【構成】透明基体上に薄膜形成手段により0.025μm以上の平均粒径のITO結晶を有する透明導電膜を形成し、更にこの透明導電膜上に還元性活性種を含むプラズマを用いた半導体膜を形成して成る半導体素子の製法。

請求項（抜粋）：

透明基体上に薄膜形成手段により平均結晶粒径が0.025μm以上となるようなITO結晶を有する透明導電膜を形成し、該透明導電膜の上に還元性活性種を含むプラズマにより半導体膜を形成して成る半導体素子の製法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

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