特許

J-GLOBAL ID：200903058179383024

ガスセンサ

発明者： 吉良 満治 ,  山口 隆司 ,  村山 英美
出願人/特許権者： フイガロ技研株式会社
代理人 (1件)： 塩入 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-149907
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗でガス選択性の高い、膜型ガスセンサを得る。【構成】 基板上に一対の電極と金属酸化物半導体膜とを形成する。金属酸化物半導体膜上に表面電極を積層し、表面電極には基板上の一対の電極と対向する部分を設ける。電流は表面電極でバイパスされ、基板に垂直に金属酸化物半導体膜を流れる。この結果、低抵抗のガスセンサが得られる。基板上の電極と表面電極との触媒活性により、エタノール等のガスは酸化されて除去され、ガス選択性が得られる。表面電極を緻密にすれば、電極によるエタノール等の除去効果は特に強く現れる。

請求項（抜粋）：

基板上に一対の電極を設けると共に、これらの電極を覆うようにガス検出用の金属酸化物半導体膜を設けたガスセンサにおいて、前記の金属酸化物半導体膜上に表面電極を積層すると共に、表面電極には、金属酸化物半導体膜を介して、基板上の一対の電極のそれぞれに対して、対向する部分を設けたことを特徴とする、ガスセンサ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-150754
  
• 特開昭58-216944
  
• 特開昭64-086053