半導体ウェハ温度制御装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238013
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082785
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】ウェハ温度制御装置において、ウェハが変形し易い高温から低温までの広範囲にウェハの温度にすることができ、かつウェハ面内の温度を均一にすることができる。【解決手段】ウェハ10に支持部材1を通して電流を流してやることによりジュール熱を発生させウェハ10面内を均一に加熱制御する。支持部材1を下げてウェハ10とステージ3とを直接接触させることにより急冷させることもできる。これにより、高温から低温までウェハ10の温度を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを先端に乗せる複数の導電性の棒状の支持部材と、前記半導体ウェハを前記支持部材側に押し付けるクランプと、これら支持部材間に電流を供給し前記半導体ウェハに電流を流しジュール熱を発生させる電源部と、前記半導体ウェハの温度を検知する温度センサとを備えることを特徴とする半導体ウェハ温度制御装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 , H01L 21/22 511 , H01L 21/3065 , H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/68 N , H01L 21/22 511 A , H01L 21/324 D , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭50-159250
特開昭58-213434
特開平2-158123

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