特許

J-GLOBAL ID：200903058179801934

半導体装置用パッケージ及び半導体装置

発明者： 鈴木 克信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137224
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321073
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】検査性、信頼性及び放熱性能が高い半導体層装置を製造できる半導体装置用パッケージ及び半導体装置を提供する。【解決手段】金属ベース基板4上に有機系絶縁体から成る絶縁体1及び金属箔により形成された配線パターン11が形成され、積層構造体を構成する。金属ベース基板は、電気的に絶縁された複数の導通チェック端子2を有する。金属ベース基板及び導通チェック端子と、配線パターンとが絶縁体を所定位置で貫通するビアホール10を介して導通する。半導体チップを搭載する所定の位置の絶縁体及び配線パターンは除去する。露出した金属ベース基板をキャビティとして構成し、所望の深さに窪ませる構造を有する。

請求項（抜粋）：

金属ベース基板層と絶縁材層と金属箔層の3層構造とした積層基板を基礎にして、この積層基板の金属箔層に配線パタン及びランドパタンを形成すると共に、前記金属ベース基板層に前記ランドパタンと対応する位置に金属ベース・ランドパタンを形成し、前記ランドパタンと金属ベース・ランドパタンとをビアホールにより接続し、この金属ベース・ランドパタン部を前記金属ベース基板層から絶縁するように、この金属ベース・ランドパタンの外周部に沿って前記絶縁材層に届く溝を形成し、前記積層基板上に半導体チップを搭載し、前記半導体チップの外部接続用パッドと前記金属箔層に形成した所定のパタンとを接続し、前記半導体チップ部分の配線パタンを含む金属箔層を封止材で封止し、前記半田バンプ形成用ランドパタン部に半田バンプを形成したことを特徴とする半導体装置用パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/60 311 R