特許
J-GLOBAL ID：200903058180417129
高耐圧半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211322
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066398
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】ゲート電極のエッジ部のドレイン電界集中を防ぎ、ドレイン・ソース間耐圧の向上を図るとともに、ゲート酸化膜の信頼性向上を目的とする。【構成】横型半導体装置のゲート電極のドレイン側のエッジ部の直下の半導体基盤表面部に、基板と反対導電型の不純物領域を設け、ゲート電極のエッジ部へのドレイン電界の集中を防ぐ。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の表面に形成された第2導電型のベース領域と、この第2導電型のベース領域の中に形成された第1導電型のソース領域とこの第2導電型のベース領域と横方向に間隔を取った第1導電型の高濃度のドレイン領域と、ソース領域、ベース領域、ドレイン領域にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極からなる横型半導体装置に於て、ゲート電極のベース領域と反対端下部の第1導電型半導体基板の表面部に第2導電型の領域を設けた事を特徴とした横型半導体装置。
引用特許：
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