低反射積層体の製造方法及び低反射積層体

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021573
公開番号（公開出願番号）：特開2002-228803
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：

【要約】【課題】最低反射率%が極めて小さく、プラズマ処理部分の工程汚れも少ない低反射積層体の製造方法及び低反射積層体を提供する。【解決手段】基材が対向する電極間に配置され、一方の電極はロール電極Aであり、もう一方の電極は、無機材料が被覆されている電極Bであり、電極の基材と接する側のJIS B 0601で規定される表面粗さの最大高さが10μm以下になるように調整されたプラズマ放電処理装置の放電処理室に希ガス及び有機フッ素化合物、珪素化合物またはチタン化合物を含む混合ガスを導入しながら、放電プラズマ処理を行い、基材表面上にフッ素、珪素またはチタンを含有する薄膜を形成することを特徴とする低反射積層体の製造方法。

請求項（抜粋）：

基材が対向する電極間に配置され、一方の電極は該基材と接触し、且つ、前記基材の搬送方向に回転するロール電極Aであり、もう一方の電極は、該ロール電極に対向している全ての放電領域が誘電体として無機材料が被覆されている電極Bであり、該ロール電極Aまたは該電極Bの前記基材と接する側のJIS B 0601で規定される表面粗さの最大高さ(Rmax)が10μm以下になるように調整されたプラズマ放電処理装置を用い、該プラズマ放電処理装置に設けられた放電処理室に希ガス及び有機フッ素化合物を含む混合ガスを導入しながら、前記ロール電極Aまたは前記電極Bに高周波電圧を印加させ、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電プラズマ処理を行い、前記基材表面上にフッ素を含有する薄膜を形成することを特徴とする低反射積層体の製造方法。

IPC (8件)：

G02B 1/11 , B32B 27/00 , B32B 27/30 , C08J 7/00 CEP , C08J 7/00 306 , C23C 16/40 , G02B 1/10 , C08L 1:00

FI (8件)：

B32B 27/00 N , B32B 27/30 D , C08J 7/00 CEP Z , C08J 7/00 306 , C23C 16/40 , C08L 1:00 , G02B 1/10 A , G02B 1/10 Z

Fターム (78件)：

2K009AA07 , 2K009AA15 , 2K009BB28 , 2K009CC02 , 2K009CC09 , 2K009CC21 , 2K009CC24 , 2K009DD04 , 2K009EE03 , 4F073AA06 , 4F073BA03 , 4F073BA07 , 4F073BA08 , 4F073BA14 , 4F073BA17 , 4F073BA18 , 4F073BA19 , 4F073BA23 , 4F073BA24 , 4F073BA26 , 4F073BA27 , 4F073BA31 , 4F073BA32 , 4F073BB01 , 4F073CA01 , 4F073CA65 , 4F073CA67 , 4F100AA20H , 4F100AJ06A , 4F100AK68D , 4F100AK68E , 4F100AK69D , 4F100AK69E , 4F100AK70D , 4F100AK70E , 4F100AK71D , 4F100AK71E , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA05 , 4F100BA06 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100BA26 , 4F100EH46 , 4F100EH462 , 4F100EJ54 , 4F100EJ542 , 4F100GB41 , 4F100JM02B , 4F100JM02C , 4F100JN06 , 4F100JN18B , 4F100JN18C , 4K030AA02 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030BA24 , 4K030BA29 , 4K030BB12 , 4K030CA07 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030GA14 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030KA16 , 4K030KA30 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 4K030LA16 , 4K030LA18

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