特許

J-GLOBAL ID：200903058184796612

磁気センサ

発明者： 菊池 和政
出願人/特許権者： 多摩電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-286822
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】磁気インピーダンス素子や磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサは、バイアス磁界やフィードバック磁界を掛けて使用されることがある。その手段としてはソレノイドコイルが有るが、その場合、小型化・薄型化の妨げとなる。そこで、フィードバック磁界を掛けても小型化・薄型化する対策が必要となる。【解決手段】本発明による磁気センサは、磁気インピーダンス素子や磁気抵抗効果素子を利用した磁気センサで、バイアス磁界やフィードバック磁界を発生させるための平面コイルを有することを特徴としている。ここに平面コイルは、センサ素子とは別の基板に作製したものを用いても良いし、センサ素子の中に作り込んでも良い。

請求項（抜粋）：

磁気インピーダンス素子や磁気抵抗効果素子を利用した磁気センサで、平面コイルを有することを特徴とする磁気センサ。

IPC (5件)：

G01R 33/02 ,  G11B 5/33 ,  G11B 5/39 ,  H01F 17/00 ,  H01L 43/00

FI (5件)：

G01R 33/02 D ,  G11B 5/33 ,  G11B 5/39 ,  H01F 17/00 B ,  H01L 43/00

Fターム (11件)：

2G017AA01 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA02 ,  5D034BA13 ,  5D034CA08 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070CB03 ,  5E070CB15 ,  5E070CB17