特許

J-GLOBAL ID：200903058185962770

半導体装置用基板

発明者： 一安 六夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  株式会社安来精密
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334074
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスの放熱性を向上できる基板を提供することである。【構成】 0°C〜300°Cの温度範囲にて8×10マイナス6乗以下の熱膨張係数を有する金属または合金でなる基材と、該基材の放熱対象となる物品と接合される面に設けられた1または複数個の孔と、該孔に充填された熱伝導率が210W/(m・K)以上の金属または合金でなる高熱伝導材料とを具備する半導体装置用基板である。

請求項（抜粋）：

0°C〜300°Cの温度範囲にて8×10マイナス6乗以下の熱膨張係数を有する金属または合金でなる基材と、該基材の放熱対象となる物品と接合される面に設けられた1または複数個の孔と、該孔に充填された熱伝導率が210W/(m・K)以上の金属または合金でなる高熱伝導材料とを具備する半導体装置用基板。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 J