特許

J-GLOBAL ID：200903058187833004

排ガス処理装置および半導体製造装置

発明者： 渡部 司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-164454
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014699
出願日： 2002年06月05日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】プラズマ式排ガス分解装置の上流側の圧力変動を抑制する。【解決手段】回転制御装置12は、反応ガスが真空チャンバ1に導入されるタイミングで、粗引きポンプ11の回転数を上昇させ、反応ガスの真空チャンバ1への導入が遮断されるタイミングで、粗引きポンプ11の回転数を下降させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

プラズマ式排ガス分解装置と、 前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第1の真空ポンプと、 前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第2の真空ポンプと、 前記第1の真空ポンプからの排気状態に基づいて、前記第2の真空ポンプ の回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする排ガス処理装置。

IPC (4件)：

H01L21/3065 ,  B01D53/34 ,  B01D53/70 ,  H01L21/205

FI (4件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/205 ,  B01D53/34 134E ,  B01D53/34

Fターム (15件)：

4D002AA22 ,  4D002AC10 ,  4D002BA07 ,  4D002CA20 ,  4D002GA02 ,  4D002GA03 ,  4D002GB04 ,  4D002GB20 ,  5F004AA16 ,  5F004BC02 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F045EG06 ,  5F045EG07