特許

J-GLOBAL ID：200903058187980155

半導体レーザ

発明者： 福永 敏明 ,  和田 貢
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085283
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284275
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 光導波層を含む活性領域がAlを含まない材料から形成された半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を高め、また素子特性を向上させる。【解決手段】 GaAs基板上1に、GaAs基板1に格子整合するGaAlAsまたはGaAlAsPからなる下部クラッド層2と、GaAs基板1に格子整合するInGaAsPまたはInGaPからなる下部光導波層3と、InGaAsまたはInGaAsPからなる活性層4と、GaAs基板1に格子整合するInGaAsPまたはInGaPからなる上部光導波層5と、GaAs基板1に格子整合するGaAlAsまたはGaAlAsPからなる上部クラッド層6,7とがこの順に積層されてなる半導体レーザにおいて、上部光導波層5と上部クラッド層6との界面近傍において、該上部クラッド層6の少なくとも一部を、引っ張り歪を有するGaAlAsPから形成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、GaAs基板に格子整合するGaAlAsまたはGaAlAsPからなる下部クラッド層と、GaAs基板に格子整合するInGaAsPまたはInGaPからなる下部光導波層と、InGaAsまたはInGaAsPからなる活性層と、GaAs基板に格子整合するInGaAsPまたはInGaPからなる上部光導波層と、GaAs基板に格子整合するGaAlAsまたはGaAlAsPからなる上部クラッド層とがこの順に積層されてなる半導体レーザにおいて、前記上部光導波層と上部クラッド層との界面近傍において、該上部クラッド層の少なくとも一部が、引っ張り歪を有するGaAlAsPから形成されていることを特徴とする半導体レーザ。