特許

J-GLOBAL ID：200903058188332297

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者： 竹田 均
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005384
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196169
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、転写方式による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する課題を解決し、歩留まりが良好な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 支持基板7上に少なくとも第一電極層8を形成する工程と、エレクトロルミネッセンス層5及び/又は第二電極層4を構成する材料を転写層6として転写用基板1上に形成する工程と、支持基板7の第一電極層8形成面と転写用基板1上の転写層6形成面とを、ゴム硬度が50IRDH以下の圧着ローラー10で圧着する工程と、転写用基板1上に形成された転写層6を支持基板7の第一電極層8形成面側に転写する工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

支持基板上に第一電極層、少なくとも有機発光材料を含有するエレクトロルミネッセンス層、第二電極層がこの順で形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記支持基板上に少なくとも前記第一電極層を形成する工程と、前記エレクトロルミネッセンス層及び/又は前記第二電極層を構成する材料を転写層として転写用基板上に形成する工程と、前記支持基板の前記第一電極層形成面と前記転写用基板上の前記転写層形成面とを、ゴム硬度が50IRDH以下の圧着ローラーで圧着する工程と、前記転写用基板上に形成された前記転写層を前記支持基板の前記第一電極層形成面側に転写する工程と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (2件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (17件)：

3K007AB00 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007BA07 ,  3K007BB06 ,  3K007BB07 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007EC00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01