特許
J-GLOBAL ID:200903058191355591
誘電体膜のパターニング方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-253612
公開番号(公開出願番号):特開2009-088098
出願日: 2007年09月28日
公開日(公表日): 2009年04月23日
要約:
【課題】一度のエッチングペーストによる処理ではエッチングできない程度の厚さを有する誘電体膜を、エッチングペーストを用いた簡単な処理でエッチングしてパターニングを形成できるとともに、エッチングペーストの熱処理後に発生する残渣を低減もしくは完全に除去できる誘電体膜のパターニング方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上に、第1の誘電体膜を形成する工程と、該第1の誘電体膜上に、第2の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第2の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第1の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第1の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
シリコン基板上に、第1の誘電体膜を形成する工程と、
前記第1の誘電体膜上に、第2の誘電体膜を形成する工程と、
エッチングペーストを用いて、前記第2の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、前記第1の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、
前記露出した第1の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程と、
を含む誘電体膜のパターニング方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/306 D
, H01L31/04 F
Fターム (8件):
5F043AA31
, 5F043AA35
, 5F043BB22
, 5F043BB23
, 5F043DD30
, 5F051CB22
, 5F051CB30
, 5F051HA20
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
無機表面用エッチングペースト
公報種別:公表公報
出願番号:特願2001-580827
出願人:メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
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