半導体ウェーハの研磨方法及び半導体ウェーハ研磨用パッド

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松月美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176829
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】溝配線或いはダマシン配線形成でのシニング現象を良好に抑制できる半導体ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】絶縁膜52に溝53または孔を設け、前記絶縁膜52上に金属導体層54を前記の溝53または孔を埋めて形成した半導体ウェーハの金属導体層54を絶縁膜52の表面と面一に研磨液を供給しつつ研磨パッドで化学機械研磨する方法であり、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質シ-トを前記研磨パッドとして使用する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜に溝または孔を設け、前記絶縁膜上に金属導体層を前記の溝または孔を埋めて形成した半導体ウェーハの金属導体層を絶縁膜表面と面一に研磨液を供給しつつ研磨パッドで化学機械研磨する方法であり、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質シ-トを前記研磨パッドとして使用することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , H01L 21/3205 , C08J 5/14

FI (5件)：

H01L 21/304 622 X , H01L 21/304 622 F , B24B 37/00 C , C08J 5/14 , H01L 21/88 K

Fターム (22件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 4F071AA15 , 4F071AA81 , 4F071AD02 , 4F071AF20Y , 4F071AF28Y , 4F071AF53Y , 4F071AH12 , 4F071AH19 , 4F071DA20 , 5F033HH11 , 5F033MM01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033XX01

前のページに戻る