特許
J-GLOBAL ID:200903058193994036

混成集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西野 卓嗣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-190706
公開番号(公開出願番号):特開平6-037421
出願日: 1992年07月17日
公開日(公表日): 1994年02月10日
要約:
【要約】【目的】 パワー回路と小信号回路とが1チップ化されたパワーモノ型半導体素子を基板上に実装する。【構成】 金属基板(1)の一主面上に絶縁層(2)を介して形成された導電路(3)上に複数の回路素子が接続され、導電路(3)のアースライン又は電源ラインと金属基板(1)とを電気的に接続手段(4)によって接続し、パワー回路部とそのパワー回路部を駆動させる小信号系回路部とがモノIC化され且つグランド電位がその基板にあるパワー半導体素子(5)が絶縁層(2)を介えすことなく金属基板(1)上に搭載し、小信号系回路用の比較的細いワイヤ線(7)とパワー回路部用の比較的太いワイヤ線(6)が周辺のパッドと接続する。
請求項(抜粋):
金属基板の一主面上に絶縁層を介して形成された導電路上に複数の回路素子が接続され、前記導電路のアースライン又は電源ラインと前記金属基板とが電気的に接続された混成集積回路であって、パワー回路部とそのパワー回路部を駆動させる小信号系回路部とがモノIC化されたパワー半導体素子が前記絶縁層を介えすことなく前記金属基板上に搭載され、周辺のパッドとワイヤ線で接続されたことを特徴とする混成集積回路。
IPC (5件):
H05K 1/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/05 ,  H05K 1/02
FI (2件):
H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 H
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平3-265149
  • 特開平4-033392

前のページに戻る