光学多層膜及びそれを有する光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-255056
公開番号（公開出願番号）：特開2004-093914
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】光学特性をより安定化する光学多層膜、それを有する半導体装置並びに半導体レーザ、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体チップ10の両端に多層構造を有する光学多層膜13を形成する。光学多層膜13は、半導体チップ10に接する第1層13aから最外に位置する第3層13cまでの3層構造を有しており、樹脂200による封止された状態と封止されない状態とで良好な透過特性を発揮する。また、光学多層膜13における各層の屈折率は、第2層13bが最も高く、第1層13a及び第3層13cが第2層13bの屈折率よりも低い。更に、第1層13a及び第3層13cは例えば性質が圧縮の応力を生じる材料を用いて形成し、これらに挟まれる第2層13bは上記とは逆に性質が引張の応力を生じる材料を用いて形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化窒化チタンを主成分とする第1層と、フッ化マグネシウムを主成分とする第2層と、前記第1層あるいは第2層とは屈折率の異なる第3層とを積層構造のすくなくとも一部に有し、該積層構造の内部に複数の反射面を備えるとともに、第2層の厚みは1/4波長より薄いことを特徴とする光学多層膜。

IPC (5件)：

G02B1/11 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/48 , H01S5/028

FI (5件)：

G02B1/10 A , B32B7/02 103 , B32B9/00 A , C23C14/48 D , H01S5/028

Fターム (40件)：

2K009AA02 , 2K009CC03 , 2K009CC06 , 2K009DD03 , 2K009DD09 , 4F100AA06B , 4F100AA06C , 4F100AA12A , 4F100AA20C , 4F100AA21A , 4F100AA33A , 4F100AR00C , 4F100AR00D , 4F100BA04 , 4F100BA10B , 4F100BA10D , 4F100BA25 , 4F100BA26 , 4F100EH66A , 4F100GB41 , 4F100JN06 , 4F100JN06D , 4F100JN18 , 4F100JN18A , 4F100JN18B , 4F100JN18C , 4F100YY00B , 4K029BA41 , 4K029BB02 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029BD09 , 4K029CA02 , 4K029CA09 , 5F073AA64 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073DA33 , 5F073EA29 , 5F073FA29

引用特許：

出願人引用 (4件)

光学膜とその形成方法、反射防止膜とその形成方法、反射膜とその形成方法および光学膜を備えた光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-320458 出願人：富士通株式会社
光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-212992 出願人：株式会社日立製作所
反射防止、低放射率もしくは太陽光保護被覆を有する透明基体
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-620387 出願人：サン-ゴバングラスフランス

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