特許
J-GLOBAL ID：200903058200460760
半導体装置の配線修正装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197990
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045335
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】FIBのイオンビーム照射によるエッチングでICのカバー膜あるいはアルミ配線の除去を行う場合に、エッチング部における深さ方向の終点検出を容易に行う。【構成】ICの電源-GND間に’High’レベル、入力ピン-GND間に’High’または’Low’レベルの電位を与え、IC内部の論理を固定する。この状態でインオビームを照射し、エッチングを行う。カバー膜が除去され、アルミ配線にビームが照射されると、イオンの注入により、照射面と電源あるいはGNDとの間に電位差が生じる。この電位差により吸収電流が発生し、照射面の前段にあるトランジスタを介して電源方向あるいはGND方向にこの電流が流れる。さらにエッチングが進み、アルミ配線が除去されると吸収電流はなくなる。電源-GND間に電源電流の変化を検出する機能を有することにより、カバー膜及びアルミ配線の除去完了を判断することができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の配線をイオンビームを照射して修正を行なう半導体装置の配線修正装置において、前記イオンビームの照射を行なう真空試料室内に前記半導体装置を搭載するICソケットを載置し、前記ICソケットの端子を電源に接続し、前記イオンビーム照射中の電源電流の変化を検出する機能を有することを特徴とする半導体装置の配線修正装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
