特許

J-GLOBAL ID：200903058207718096

半導体基板のプラズマ処理装置

発明者： 辰己 良昭 ,  宮田 征一郎
出願人/特許権者： 株式会社創造科学 ,  有限会社ミヤタアールアンディ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-354544
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172056
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 静電チャックを備えた半導体基板のプラズマ処理装置において、静電チャックの吸着機構部の熱伝達性に優れ、あわせてプラズマ放電の台座への回り込みを防止できる静電チャックを備えたプラズマ処理装置にかかわる。【解決方法】 半導体基板を静電チャックで吸着固定する機構を備えた半導体基板のプラズマ処理装置において、該静電チャックは吸着機構部と金属台座と該台座と吸着機構部の間にインサートされたプラズマ処理用の高周波電圧を印加する下部電極からなる構造であって、該台座、吸着機構部、下部電極は互いに接合されてなると共に、該下部電極は側面を電気絶縁材料で包囲、遮蔽され、かつ該台座と電気的に絶縁されてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板を静電チャックで吸着固定する機構を備えた半導体基板のプラズマ処理装置において、該静電チャックは吸着機構部と金属台座と該台座と吸着機構部の間にインサートされたプラズマ処理用の高周波電圧を印加する下部電極からなる構造であって、該台座、吸着機構部、下部電極は互いに接合されてなると共に、該下部電極は側面を電気絶縁材料で包囲、遮蔽され、かつ該台座と電気的に絶縁されてなることを特徴とする半導体基板のプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B