特許

J-GLOBAL ID：200903058215802209

半導体レーザ素子とその製造方法

発明者： 松原 邦雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013904
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221393
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】電流狭窄層のドーパントが拡散して電流狭窄効果が低下し、レーザ発振が不可能となるのを防ぐ。【構成】電流狭窄層を形成する前に、電流狭窄層を形成する個所にあるキャップ層を、過酸化水素水を含むエッチング液を用いて除去し、第2クラッド層と電流狭窄層との界面に、第2クラッド層が酸化されたAlGaAs酸化物層を形成することにより、この酸化物層が、電流狭窄層中のドーパントの拡散するのを防止するので、電流狭窄が正常に行なわれ、高歩留りで特性のよいLDを得ることができる。

請求項（抜粋）：

Alx Ga1-x As系(0≦X≦1)半導体レーザ素子のGaAs基板の一主面上に、Alx Ga1-x As第1クラッド層、AlY Ga1-Y As活性層、Alx Ga1-x As第2クラッド層、GaAsキャップ層、Alx Ga1-x As第3クラッド層、およびコンタクト層を有し(0≦Y≦X≦1)、前記第3クラッド層の両側面に、前記第3クラッド層とは逆導電型の電流狭窄層がレーザ光と平行に形成された半導体レーザ素子において、前記第2クラッド層と前記電流狭窄層との界面に、前記第2クラッド層を酸化したAlGaAs酸化物層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。