特許

J-GLOBAL ID：200903058219725357

シリコンウェーハおよびその表面平坦化方法

発明者： 龍田 次郎 ,  近藤 英之 ,  小林 弘之 ,  高橋 功 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259291
公開番号（公開出願番号）：特開平7-089795
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】 (111)シリコンウェーハ表面の原子的平坦度を高め、電子の移動度の大きいシリコンウェーハを提供する。その表面平坦化方法を提供する。【構成】 表面が(111)面で構成されたシリコンウェーハについて、pH=5.3のバッファフッ酸で洗浄した後、95°Cの温純水での洗浄を行う。乾燥後、そのTDS測定を行う。この結果、TDS測定曲線における280°Cのピークによる面積Δ1は、その450°Cのピークによる面積Δ2の5%以下となる。このウェーハ表面の原子的平坦度が改善され、電子の移動度が向上する。

請求項（抜粋）：

表面が(111)面で構成されたシリコンウェーハについてのTDS測定曲線における280°Cのピークによる面積が450°Cのピークによる面積の5%以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  C30B 33/08 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341