特許
J-GLOBAL ID：200903058223058284
光・電子集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131781
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304279
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 フォトダイオードと電界効果トランジスタをOEIC構造とし、広帯域化、高感度化、小型化、そして低消費電力化を実現する。【構成】 半導体基板17上に、半導体多層膜反射鏡12を形成し、その上に、光吸収層11、チャネル層10を形成する。PD領域Aではチャネル層10も光吸収層として作用する。FET領域Bの光吸収層11はバッファ層として働く。入射光4が半導体多層膜反射鏡12で反射され、再び、光吸収層11、チャネル層10で吸収され、感度を高くできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下層に半導体多層膜反射鏡、中層にフォトダイオード領域においては光吸収層となり、電界効果トランジスタ領域においてはバッファ層とチャネル層となるエピタキシャル層、上層にキャップ層を形成したエピタキシャル構造であって、その結晶上にフォトダイオード領域と電界効果トランジスタ領域とが集積されていることを特徴とする光・電子集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 Z
, H01L 31/10 G
