特許
J-GLOBAL ID：200903058223517653
熱電変換材料とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261046
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 Siに種々の添加元素を20原子%以下含有させた新規なSi系熱電変換材料が有する高いゼーベック係数を有し、電気伝導度を損なうことなく、容易に製造できる構成や集積回路の製造方法と同方法で容易に製造できる構成からなる多結晶Si系熱電変換材料とその製造方法の提供。【解決手段】 シリコンやガラスなどの所要基板上に、Siが主なSiリッチ層と添加元素が主な添加元素リッチ層を成膜、積層し、さらに熱処理を加えて、積層方向及び/又は各層にSiリッチ相の粒界に添加元素のリッチ相を分散させた組織を生成することにより、ゼーベック係数が極めて大きくかつ熱伝導率が小さくなり、熱電変換効率を著しく高め、資源的に豊富なSiが主体で環境汚染が極めて少なく、薄膜状の多結晶Si系熱電変換材料が得られる。
請求項（抜粋）：
基板又は膜上に、Si層又はSiが主体となるSiリッチ層と、SiをP型半導体又はN型半導体となすための単独又は複数の添加元素が主体となる添加元素リッチ層とが積層されて形成された積層体からなり、全体組成が前記添加元素を0.001原子%〜20原子%含有するSiからなる熱電変換材料。
IPC (3件)：
H01L 35/14
, H01L 35/26
, H01L 35/34
H01L 35/14
, H01L 35/26
, H01L 35/34
