特許
J-GLOBAL ID：200903058225085726
異物除去方法,膜形成方法,半導体装置及び膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018265
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357686
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 低温でCVD膜などから異物を除去するための方法や、被処理物の表面上に高品質の酸化膜,窒化膜,酸窒化膜などを比較的低温で形成するための膜形成方法を提供する。【解決手段】 Si基板11をベッセル20内に設置する。ベッセル20内に有機金属錯体と超臨界状態の二酸化炭素とを供給して、白金薄膜13の上にBST薄膜14を形成しながら、BST薄膜14の形成時に発生する炭素化合物を除去する。超臨界状態の二酸化炭素に対する炭素化合物の溶解度は非常に高く、かつ超臨界状態の二酸化炭素の粘度が低いことを利用して、BST薄膜14中の炭素化合物を効率良く除去することができる。超臨界状態又は亜臨界状態の水などを利用して、酸化,窒化などの処理を低温で行なって、酸化膜,窒化膜などを形成することもできる。
請求項（抜粋）：
被処理物の内部の異物を除去する方法であって、上記異物を溶解するための流動体を超臨界状態もしくは亜臨界状態に保持しながら、上記被処理物を上記流動体に接触させて異物を除去することを特徴とする異物除去方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, B08B 3/08
, C23C 16/44
, H01L 21/304 647
H01L 21/316 B
, B08B 3/08 Z
, C23C 16/44 J
, H01L 21/304 647 Z
