特許

J-GLOBAL ID：200903058225303510

半導体レーザ素子および半導体受光素子

発明者： 清水 均 ,  平山 祥之 ,  菅田 純雄
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218591
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 低発振しきい値電流密度を有する1.5μm帯のInGaAs/InAlAs系量子井戸半導体レーザ素子と、高感度でSN比が大きい1.5μm帯の半導体受光素子を提供する。【構成】 InP基板11上に、InAlAs障壁層とInGaAs量子井戸層からなる活性層14を形成した半導体レーザ素子において、InP基板11の面方位は(111)B面、または(111)B面が(100)方向または(110)方向に高々10°傾いた面方位とし、InP基板上に、キャリア増倍層、InGaAs光吸収層を順次形成した半導体受光素子において、InP基板の面方位は(111)B面、または(111)B面が(100)方向または(110)方向に高々10°傾いた面方位とする。

請求項（抜粋）：

InP基板上に、InAlAs障壁層とInGaAs量子井戸層からなる活性層を形成した半導体レーザ素子において、InP基板の面方位は(111)B面、または(111)B面が(100)方向または(110)方向に高々10°傾いた面方位であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-339962   出願人：ジヤパンゴアテツクス株式会社