特許
J-GLOBAL ID：200903058226339195
半導体製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022934
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219874
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェハ製造ラインにおいて、当該工程(例えばエッチング)のプロセス条件を、前工程(例えば成膜)の処理を行った製造装置の処理履歴情報を基に決定し、上記工程の先行作業の頻度低減,前工程の抜き取り検査頻度低減により、スループット,TAT短縮を図る。【解決手段】前工程の処理を行う製造装置,抜き取り検査を行う検査装置とこれらの製造装置と検査装置とネットワーク接続されたパラメータ算出システムを有し、さらに当該工程の処理を行う製造装置,製造装置及び前工程のパラメータ算出システムとネットワーク接続されたパラメータ算出システムから構成される。
請求項（抜粋）：
酸化・拡散,ホトリソグラフィー,エッチング,成膜等の処理を繰り返し行う半導体ウェハ等の製造ラインにおける当該工程(例えばエッチング)のプロセス条件を、前工程(例えば成膜)の処理を行った製造装置の処理履歴情報を基に決定する方法において、前工程の処理を行う製造装置と処理したウェハ(あるいはロット)の抜き取り検査を行う検査装置とこれらの装置にネットワーク接続されたパラメータ算出システムおよび当該工程の処理を行う装置とこれにネットワーク接続されたパラメータ算出システムを用い、上記前工程のパラメータ算出システムと上記当該工程のパラメータ算出システムをネットワーク接続し、上記前工程のパラメータ算出システムは、製造装置からウェハの着完実績,モニタリングデータ,メンテナンス作業履歴データ等の処理履歴を収集・保存し、かつ検査装置からウェハの検査データを収集・保存し、上記処理履歴と検査データのリレーションおよび上記処理履歴と検査対象ウェハの検査データから抜き取り検査対象外のウェハに関する検査データを推定する検査データ推定関数を用いて各ウェハに関して推定した推定検査データを生成・保存し、当該工程のパラメータ算出システムは当該ウェハの処理条件を決定する際に、プロセス条件に影響を与える前工程のパラメータ算出システムに保存された検査データあるいは推定検査データを収集し、これをもとにプロセス条件を算出し、当該製造装置に指示することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 Z
, G05B 15/02 Z
