特許

J-GLOBAL ID：200903058226434180

電界効果型トランジスタ

発明者： 金原 滋 ,  大澤 利幸
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-187318
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086600
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 高分子半導体として、熱または光等の物理的外部刺激によって高分子の状態が変化することのできる新規な高分子半導体の提供。【構成】 高分子半導体をチャネル層とする電界効果型トランジスタにおいて、該高分子半導体が、次式(I)、(II)、(III)および(IV)よりなる群から選ばれた少なくとも1種のπ電子共役系骨格を有する高分子半導体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【化1】

請求項（抜粋）：

高分子半導体をチャネル層とする電界効果型トランジスタにおいて、該高分子半導体が、次式(I)、(II)、(III)および(IV)よりなる群から選ばれた少なくとも1種のπ電子共役系骨格を有する高分子半導体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【化1】(式中、XはNH、あるいはS、O、Se、TeおよびPoよりなる酸素族の元素から選ばれた少なくとも1種の元素である。R1、R2の少なくとも一方は、アルキル基または有機溶媒に可溶性化基であり、また、R1およびR2のどちらかには、物理的外部刺激により異性化反応を起こす基を有する。nは、重合度5〜2000である。)

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (2件)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機電界効果型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205286   出願人：株式会社東芝