半導体装置用ケース

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小野尚純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196671
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024103
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】熱膨張率および熱伝導率が安定し半導体素子の長期信頼性を得ることができるとともに、基盤部および矩形枠部を一体に成形することができ、矩形枠部に蓋体を直接溶接することが可能な安価に製造することができる半導体装置用ケースを提供する。【解決手段】半導体装置を搭載する基盤部と、該基盤部に立設して設けられ半導体装置を収容する矩形枠部と、該矩形枠部の上面を覆い密閉空間を形成する蓋体とから構成される半導体装置用ケースであって、基盤部および矩形枠部は、タングステン系粉末とその他の金属粉末とが攪拌混合された混合粉末によって一体成形された成形体を、ヘビーアロイメカニズム理論で焼結した合金によって構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体装置を搭載する基盤部と、該基盤部に立設して設けられ該半導体装置を収容する矩形枠部と、該矩形枠部の開口部を閉塞し密閉空間を形成する蓋体と、から構成される半導体装置用ケースにおいて、該基盤部および該矩形枠部は、タングステン系粉末とその他の金属粉末とが攪拌混合された混合粉末によって一体成形された成形体を、ヘビーアロイメカニズム理論で焼結した合金によって構成されている、ことを特徴とする半導体装置用ケース。

IPC (6件)：

H01L 23/14 , B22F 3/10 , C22C 1/04 , H01L 23/04 , H01L 23/06 , H01S 5/022

FI (6件)：

H01L 23/14 M , C22C 1/04 D , H01L 23/04 F , H01L 23/06 B , H01S 5/022 , B22F 3/10 F

Fターム (13件)：

4K018AA20 , 4K018AA22 , 4K018BA02 , 4K018BA04 , 4K018BA09 , 4K018BA13 , 4K018DA18 , 4K018KA32 , 5F073BA02 , 5F073DA35 , 5F073FA15 , 5F073FA16 , 5F073FA29

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