特許
J-GLOBAL ID：200903058231235438
基体の切断方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222241
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053035
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエーハに形成した素子構造を保護し、かつ清浄な状態で切断することのできる基体の切断方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 冷却によって固化させた2-アミノエタノールなどの非水系有機溶媒9Bによって半導体ウエーハ8をステージ11上に固定し、この状態でダイシングを行った後、昇温により非水系有機溶媒9Bを液化させて液体9Aとし、チップ8Aをステージ11から分離する。
請求項（抜粋）：
基体を切断するに際し、固化させた有機物によって前記基体を固定した状態で前記切断を行い、しかる後に、前記有機物を液化させて前記基体の切断物を分離する、基体の切断方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 M
, H01L 21/78 P
