特許

J-GLOBAL ID：200903058232959260

半導体記憶装置

発明者： 武隈 俊次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281368
公開番号（公開出願番号）：特開平6-131879
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 組み立て後においてそのビット構成及び動作モード等を容易に切り換えうるEEPROM等を実現する。これにより、EEPROM等の製造工程を簡素化し、そのメーカにおける所要在庫量を削減する。【構成】 プログラム可能な不揮発性メモリセルQDが格子状に配置されてなるメモリアレイMARYを備えるEEPROM等に、これらのメモリセルQDと同一構造のメモリセルQCを含みビット構成及び動作モード等に関する制御情報を保持するための制御レジスタと、この制御レジスタから読み出される制御情報C0〜C3に従ってEEPROM等のビット構成及び動作モード等を選択的に切り換えるためのモード切り換え回路とを設けるとともに、データ入出力端子D3を介して上記制御レジスタを書き換えるための書き込みモードを設ける。

請求項（抜粋）：

プログラム可能な第1の不揮発性メモリセルが格子状に配置されてなるメモリアレイと、上記第1の不揮発性メモリセルと同一構造の第2の不揮発性メモリセルを含み所定の制御情報を保持する制御レジスタとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。