特許
J-GLOBAL ID：200903058233385160
光・放射線電気変換半導体装置およびその応用
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187595
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122776
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 高エネルギー領域の光・放射線電気変換半導体装置を得る。【構成】 外装ケース13002に実装されたPINダイオードの積層検出素子20001を第1層の検出器X1 とし、同様の構造の検出素子Y1 を互いに交差するように配置し、2次元の面分解能を有する検出器を構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板に第2導電型不純物領域を有する半導体基板を積層することを特徴とする光・放射線電気変換半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 31/10
, G01T 1/24
, H01L 31/09
H01L 31/10 A
, H01L 31/00 A
