特許

J-GLOBAL ID：200903058243832504

磁性体メモリ及びその駆動方法

発明者： 乾 文洋
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-091977
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367366
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 情報を高速に読み出し可能な磁性体メモリ及びその駆動方法を提供する。【解決手段】 複数の可変抵抗器Rがマトリックス状に配置されている。複数のスイッチTが複数の可変抵抗器Rにそれぞれ接続されている。ビット線BLがマトリクスの行毎に配置されている。可変抵抗器Rの一方の端子がビット線BLに接続され、他方の端子がスイッチTに接続されている。同一のビット線に接続されたうちのいずれか1つのスイッチTが常にオンされ、ビット線BLの電圧の変動が抑制される。可変抵抗器Rには所定の電圧が印加され、可変抵抗器Rを流れる電流によって可変抵抗器Rに書き込まれている情報が検出される。

請求項（抜粋）：

マトリックス状にメモリ素子として配置された複数の可変抵抗器と、前記マトリクスの行毎に配置され、同一の行に属する前記可変抵抗器の一方の端子にそれぞれ接続された複数のビット線と、前記ビット線に流れる電流によって前記可変抵抗器の電気抵抗値を検出する読出し回路と、前記メモリ素子とは別に前記ビット線に設けられた負荷素子を有することを特徴とする磁性体メモリ。

IPC (4件)：

G11C 11/15 130 ,  G11C 11/15 150 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 130 ,  G11C 11/15 150 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA28