特許
J-GLOBAL ID：200903058245630143
高周波磁性薄膜及び高周波電子デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110238
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251111
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】 GHz帯域で動作可能な磁性薄膜とこれを用いた電子デバイスを得ることを目的とする。【解決手段】 磁性体層と絶縁体層が交互に積層された磁性薄膜で、磁性体層は第一の磁性体層1と第二の磁性体層2を含み、前記第一の磁性体層1は前記第二の磁性体層2よりも異方性磁界が高く、前記第二の磁性体層2は前記第一の磁性体層1よりも飽和磁化が高いことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁性体層と絶縁体層とを交互に積層した高周波磁性薄膜であって、前記磁性体層は第一の磁性体層および第二の磁性体層を含み、前記第一の磁性体層は前記第二の磁性体層よりも高い異方性磁界を有し、前記第二の磁性体層は前記第一の磁性体層よりも高い飽和磁化を有することを特徴とする高周波磁性薄膜。
IPC (4件)：
H01F 10/16
, H01F 10/14
, H01F 10/30
, H01F 17/00
H01F10/16
, H01F10/14
, H01F10/30
, H01F17/00 D
5E049AA01
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA11
, 5E049DB14
, 5E070AA01
, 5E070AA11
, 5E070AB01
, 5E070BA12
, 5E070BA20
, 5E070BB01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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