特許
J-GLOBAL ID：200903058246670050
合成半導体及び制御されたそのドーピング
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
斉藤 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038991
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006971
出願日： 1994年01月25日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 化学蒸着により成長する結晶中の不純物取込み量を制御する方法及び装置を提供する。【構成】 結晶の成長は成長室内で行い、該成長室内の結晶成長成分間の濃度比を制御して、成長している結晶上の特定の成長部位の要求を変化させて、これにより成長部位への不純物取込みを制御する。
請求項（抜粋）：
成長室中で行う化学蒸着処理による所定領域でのSiC結晶の成長に伴ってSi及びCにより形成された結晶の該所定の成長領域に付着する選ばれた元素の量を制御する方法(ここでSiはSi成長部位に付着しCはC成長部位に付着して、該元素は該成長部位の1つを競合する)において、a.該室中にガス状のSi化合物の第1の量を流し、b.該室中にガス状のC化合物の第2の量を流し、そしてc.該第1の量及び該第2の量の比を制御して該結晶中該領域に付着する該元素の量を制御することを特徴とする上記制御方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/365
