特許

J-GLOBAL ID：200903058248670308

半導体構造体および半導体装置

発明者： 遠藤 光芳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299408
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 ボール状等のはんだバンプを必要とせず、コストの大幅な低減が可能な半導体構造体と、そのような半導体構造体を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体構造体では、シリコン等の半導体基板1に貫通孔2が設けられて、この貫通孔2に、内周面に直接接して形成された中間絶縁層4と、その内側に積層・形成された導体層5とを有し、一端が半導体基板1の一方の主面より突出して形成されたヴィアホール3が形成されている。そして、このヴィアホール3の突出部において、側周面が貫通孔2内から延出して形成された中間絶縁層4により被覆されている。このような構造体上に半導体チップ10を搭載し、その電極端子とヴィアホール3の導体層5とを接続することで、接続信頼性の高い半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の表裏を貫通して設けられたヴィアホールとを備え、前記ヴィアホールが、前記半導体基板に設けられた貫通孔の内周面に接して形成された中間絶縁層と、該中間絶縁層の内側に積層・形成された導体層とを有する半導体構造体であり、前記ヴィアホールの一端が前記半導体基板の一方の主面より突出して形成され、かつこのヴィアホールの突出部の側周面において、前記導体層の外側に前記中間絶縁層が形成された構造を有することを特徴とする半導体構造体。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 23/12 F ,  H01L 21/88 J ,  H01L 21/92 602 G

Fターム (15件)：

5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ13 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS27