特許
J-GLOBAL ID：200903058255208849
半導体のパッケージおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高宗 寛暁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077725
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体のパッケージの放熱性および製造コストを改善する構造および製造方法を提供すること。【解決手段】 金属基板の一部分に半導体がダイボンディングされ、他の部分に半導体の電極がボンディングされ、両部分は分割されているが封止樹脂により相互に連結された構造を有し、かつ金属基板の両部分は電極端子ともなっている構造。また集合金属基板上の所定位置に多数の半導体をダイボンディングし、半導体の各々の電極と金属板上の他の所定位置とをそれぞれワイヤボンディングし、半導体を封止する樹脂を基板全面に充填しかつ硬化させた後、集合金属基板の各所定領域と各他の所定領域とを封止樹脂を残して分割する加工と集合金属基板および封止樹脂をデバイス毎に切断分離する加工を行う製造方法。
請求項（抜粋）：
金属基板の一部分に半導体がダイボンディングされ、他の部分と前記半導体の電極がワイヤボンディングされ、前記金属基板の両部分が封止樹脂で覆われ、前記金属基板の前記両部分は分割されているが前記封止樹脂によって相互に連結された構造を有し、かつ前記金属基板の両部分のそれぞれ少なくとも一部が端子となっていることを特徴とする半導体のパッケージ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 N
, H01L 23/36 C
5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BC06
, 5F036BC22
, 5F036BD01
, 5F041AA33
, 5F041CA76
, 5F041DA02
, 5F041DA03
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041DB09
