特許

J-GLOBAL ID：200903058258046394

半導体装置の製造方法

発明者： 加藤 隆
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312423
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163523
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、有機基を含まないで流動性のある堆積法を用い、バリア性が高く、カバレージが良く、且つ吸湿性の少ない層間膜を実現し、素子形状の微細化に伴う微細な段差部の上でも平坦で信頼性のある絶縁膜によって被覆することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シラン系ガスとH2 Oとを原料ガスとして,プラズマCVD法により無機シラノールを含有する膜を形成する。また、その際プラズマCVD法において、プラズマの励起エネルギーと基板加熱温度の積が20(°C・W/cm2 )以下である。

請求項（抜粋）：

シラン系ガスとH2 Oとを原料ガスとして,プラズマCVD法により無機シラノールを含有する膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。