特許
J-GLOBAL ID：200903058261141640
集積化薄膜太陽電池とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148847
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008337
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】レーザースクライブ後の洗浄処理を行いながら、半導体層の表面状態を良好に保つことでFF値を向上させることのできる構造を有する集積化薄膜太陽電池と、その製造方法を提供すること。【構成】基板上に複数の領域に分割して設けられた第一電極層上に、二つの第一電極層にわたって、一方の第一電極層上に開口した接続用開口部を設けた複数の半導体層が設けられ、半導体層上の接続用開口部を除く領域には導電体層が設けられるとともに、この導電体層上に、接続用開口部を介して一方の第一電極層と電気的に接続した状態で第二電極層が設けられることにより、第二電極層と他方の第一電極層とによって挟まれる領域からなる単位素子が、複数個直列に接続された集積化薄膜太陽電池とすること。
請求項（抜粋）：
基板上に複数の領域に分割して設けられた第一電極層上に、二つの第一電極層にわたって、一方の第一電極層上に開口した接続用開口部を設けた複数の半導体層が設けられ、半導体層上の接続用開口部を除く領域には導電体層が設けられるとともに、この導電体層上に、接続用開口部を介して一方の第一電極層と電気的に接続した状態で第二電極層が設けられることにより、第二電極層と他方の第一電極層とによって挟まれる領域からなる単位素子が、複数個直列に接続された集積化薄膜太陽電池。
引用特許：
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