特許

J-GLOBAL ID：200903058270138318

半導体製造装置および半導体製造方法

発明者： 守屋 剛 ,  伊藤 奈津子 ,  上杉 文彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290633
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100614
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板1の処理特性を損なうパーティクルが処理室1内に発生することを抑制する。【解決手段】 半導体基板1をステージ5上に固定するために、ステージ5に静電吸着電圧を印加すると、電圧を印加した際にステージ5上に付着した堆積膜や異物に静電気的な応力が加わって剥がれ、パーティクルが発生する。これに対して、半導体基板1を載置した状態で半導体基板1の直下となるステージ5上の領域内に開口部を有する吸引通路13を設け、この吸引通路13内の空気を吸引して半導体基板1をステージ5上に吸着し固定することで、ステージ5に静電吸着電圧を印加する必要がなくなるので、静電気的な応力によってパーティクルが発生することをなくし、パーティクルの発生を抑制できる。

請求項（抜粋）：

内部を清浄な状態に保つように実質的に密封可能な処理室と、該処理室内に配置されており、処理対象となる半導体基板が載置されるステージとを有し、前記半導体基板に所定の処理を行っている時に該半導体基板が前記ステージ上に固定される半導体製造装置であって、前記半導体基板を載置した状態で前記半導体基板の直下となる前記ステージ上の領域内に開口部を有する吸引通路と、該吸引通路に接続されている、処理中の前記処理室内の内圧よりも低い圧力にまで前記吸引通路内を減圧することが可能な吸引ポンプとを有する半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 P ,  H01L 21/68 R ,  H01L 21/302 C

Fターム (35件)：

4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC02 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA03 ,  5F004CA07 ,  5F004CB09 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DB10 ,  5F031HA10 ,  5F031HA13 ,  5F031HA19 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05 ,  5F031NA09 ,  5F031PA26 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045EG01 ,  5F045EH13 ,  5F045EM04 ,  5F045EM05