特許

J-GLOBAL ID：200903058271105863

絶縁膜改質方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 細谷 浩二 ,  吉田 正博 ,  坂元 弘実
出願人/特許権者： 日本電池株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269019
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111713
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 比較的低温度、短時間で絶縁膜の絶縁性を向上させることが可能な絶縁膜改質方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 ウエハを400 °Cに加熱し、5%のオゾン雰囲気中で3分間のO3処理を行い、その後、紫外線ランプ(150 〜300 nm)を点灯し、2分間のUV/O3 処理を行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置の酸化絶縁膜を改質する方法であって、O3 加熱処理とUV/O3 加熱処理とを組み合わせて実施することを特徴とする絶縁膜改質方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 651