特許
J-GLOBAL ID：200903058275145100

半導体受光装置

発明者：
木村 親夫

木村 親夫 について

, 
北村 昌良

北村 昌良 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067664
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269537
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 コストアップにならないで、かつ、ノイズの影響を殆ど受けない構造の光電変換素子とICとを組み合せた半導体受光装置を提供する。【解決手段】 信号光を受光する光電変換素子1と、その光電変換素子1により受信した信号を増幅および/または信号処理する半導体集積回路(IC)2とからなっており、その両者が回路基板3上に直接バンプ17、18、21、22により接続されている。光電変換素子1は、半導体基板11の表面側にたとえばp形層12とn形層13の接合部である光電変換部が形成されると共に、その表面上に、たとえばp形層12とn形層13とに接続されるバンプ18、19が形成され、かつ、その光電変換部(pn接合部)の下側の半導体基板11がエッチングされて凹部11aが形成されている。
請求項（抜粋）：
信号光を受光する光電変換素子と、該光電変換素子により受信した信号を増幅および/または信号処理する半導体集積回路とからなる半導体受光装置であって、前記光電変換素子は、半導体基板の表面側に光電変換部が形成されると共に該表面上に全ての電極に接続されたバンプが形成され、かつ、該光電変換部の下側の前記半導体基板がエッチングされて凹部が形成され、該光電変換素子が前記凹部側から光を受光できるように前記半導体集積回路が接続される回路基板上に前記バンプにより接続されてなる半導体受光装置。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 25/16 ,  H01L 31/02
FI (4件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 25/16 A ,  H01L 31/02 B ,  H01L 31/10 H
Fターム (21件)：
5F049MA02 ,  5F049MA11 ,  5F049NA04 ,  5F049NA17 ,  5F049NB07 ,  5F049PA14 ,  5F049QA01 ,  5F049QA06 ,  5F049RA06 ,  5F049SE11 ,  5F049TA05 ,  5F049TA06 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AA08 ,  5F088BA03 ,  5F088BA16 ,  5F088BB06 ,  5F088EA06 ,  5F088JA03 ,  5F088JA09
引用特許：
審査官引用 (25件)
  • 光電変換半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007097   出願人：セイコー電子工業株式会社
  • 光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-052515   出願人：株式会社日立製作所
  • シールド付き表面実装部品
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181167   出願人：日本電気株式会社
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