特許

J-GLOBAL ID：200903058285011900

半導体記憶装置およびその動作方法

発明者： 内田 英次
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293103
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136429
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、不揮発性メモリを有する半導体記憶装置の一つであるフラッシュEEPROMのメモリセルに関するもので、その書き込み、読み出しを1つのトランジスタで行っているために、書き込み時にチャネルホットキャリアによるトランジスタ特性が劣化して読み出しが困難になるという問題点を解決することを目的とするものである。【構成】 前記目的のために本発明は、前記メモリセルにおけるソースとドレインとの間のチャネルとして、しきい値電圧の異る2つ以上のチャネル領域12を具えさせるようにしたものであり、書き込み、読み出しに当っては、しきい値電圧の高いチャネル領域と低いチャネル領域とを使いわけて行うようにした。

請求項（抜粋）：

MOS型構造の不揮発性メモリセルを有する半導体記憶装置に於て、そのメモリセルにおけるソースとドレインとの間に、しきい値電圧の異る2つ以上のチャネル領域を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D