特許
J-GLOBAL ID：200903058287162840
スパッタリング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353070
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181187
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ分布の均一性、プラズマ放電の安定性を高める。【構成】 上下の電磁16、17の周りに配された磁石21、31が駆動装置22、23によって上下動され、上下の駆動装置22、32がコントローラ41によって制御される。コントローラ41はプラズマモニタリング装置43の測定データに応じて上下の駆動装置22、32を制御する。【効果】 プラズマモニタリングデータに応じて、磁石21、31の電極16、17に対する位置が変更されるため、プラズマ分布の均一性、プラズマ放電の安定性を最適な状態に制御できる。
請求項（抜粋）：
被処理物を収容する処理室と、この処理室内に設備されてプラズマを形成させる一対の電極と、両電極の周りにそれぞれ配されて電子を両電極の近傍に閉じ込める磁界を形成する各磁石装置とを備えているスパッタリング装置において、前記各磁石装置および各電極が駆動装置によって相対的に移動されるように構成されているとともに、この駆動装置がコントローラによって駆動を制御されるように構成されており、前記両電極によって形成されたプラズマを測定するプラズマモニタリング装置が設備されているとともに、このプラズマモニタリング装置が前記コントローラに接続されており、コントローラはプラズマモニタリング装置の測定結果に応じて前記駆動装置を制御するように構成されていることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, H01L 21/31
, H05H 1/00
, H05H 1/46
