特許
J-GLOBAL ID：200903058290659772
不揮発性半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-253970
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085280
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 中間絶縁膜の膜質を高めつつ、フローティングゲートに対するリンの濃度を高め、カップリング容量の向上を図り、書き込み特性、消去特性、および電荷保持特性を向上させることが可能なEPROMあるいはE2 PROMなどの不揮発性半導体装置を提供すること。【構成】 フローティングゲート8の上に中間絶縁膜16の少なくとも一部を成膜した後、フローティングゲート8に対して、導電性を高めるための不純物を導入する。中間絶縁膜16は、たとえば下層側酸化シリコン膜10と、中間窒化シリコン膜12と、上層側酸化シリコン膜14との三層構造のONO膜16で構成してある。不純物の導入は、たとえばイオン注入により行われる。フローティングゲート8に含まれるリンなどの不純物が、外部へ拡散することがなくなり、フローティングゲート8に含まれるリンなどの不純物の濃度が高いままに保持される。したがって、フローティングゲート8の導電性が向上し、カップリンク容量が向上する。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートと中間絶縁膜とコントロールゲートとを有する不揮発性半導体装置の製造方法において、フローティングゲートの上に中間絶縁膜の少なくとも一部を成膜した後、フローティングゲートに対して、導電性を高めるための不純物を導入することを特徴とする不揮発性半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
