特許
J-GLOBAL ID：200903058293988416
半導体素子用基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313572
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152814
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】高い結晶性と結晶の欠陥密度の低い炭化珪素エピタキシャル膜を表面に有する半導体素子用基板を提供する。【解決手段】半導体素子用基板10は、基板11の表面に、第1薄膜層12と第2薄膜層13と表面薄膜層14とをこの順に積層して備える。基板11はAl2O3の結晶基板であり、第1薄膜層12はAlNの薄膜とされ、第2薄膜層13はTiCの薄膜とされている。表面薄膜層14は六方晶系の4H-SiCをヘテロエピタキシャル成長させて製膜したヘテロエピタキシャル膜である。第2薄膜層13のTiCは、表面薄膜層14(ヘテロエピタキシャル膜)の4H-SiCに対する結晶の格子整合性が第1薄膜層12のAlNより高い性質を有する。よって、第2薄膜層13に4H-SiCをヘテロエピタキシャル成長させて表面薄膜層14を形成するに際し、TiCと4H-SiCの結晶の整合性は高まる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に炭化珪素のエピタキシャル膜を有する半導体素子用基板であって、
結晶性の基板と、
該基板の表面に、薄膜形成された第1の薄膜層と、
該第1の薄膜層と前記エピタキシャル膜との間に介在して形成された第2の薄膜層とを備え、
前記第2の薄膜層の膜物質は、前記エピタキシャル膜の膜物質である前記炭化珪素に対する結晶の格子整合性が前記第1の薄膜層の膜物質より高い、半導体素子用基板。
IPC (3件)：
H01L21/20
, H01L21/203
, H01L21/205
H01L21/20
, H01L21/203 S
, H01L21/205
5F045AA05
, 5F045AB06
, 5F045AD18
, 5F045AF01
, 5F045BB12
, 5F052DB01
, 5F052DB06
, 5F052DB08
, 5F052KA01
, 5F103AA08
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103HH10
, 5F103RR06
