特許

J-GLOBAL ID：200903058301028192

電力用半導体スイッチおよび電力変換装置

発明者： 竹中 浩 ,  田井 裕通
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-209845
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 外部の電圧電流の増加に対応すると共に、温度安定性を向上する。【解決手段】 負の温度依存特性を有するサーミスタ9A乃至9Cを、半導体素子1A乃至1Cのそれぞれのゲート端子に各半導体素子の温度上昇の影響を受けるように接続させ、各半導体素子の時定数をある一定の値に維持するようにした。

請求項（抜粋）：

制御端子に接続された抵抗と制御端子と負極性端子間の寄生容量との積によって決まる時定数に比例してターンオフ時間が定められる半導体スイッチング素子を複数搭載する電力用半導体スイッチにおいて、前記抵抗は、負の温度依存特性を有するものであって、前記半導体スイッチング素子の温度上昇の影響を受ける位置に配備されたことを特徴とする電力用半導体スイッチ。

IPC (4件)：

H02M 1/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H02M 1/00 L ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 657 Z

Fターム (13件)：

5F038AZ08 ,  5F038AZ10 ,  5F038BE09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH16 ,  5F038EZ20 ,  5H740BA11 ,  5H740BB02 ,  5H740BB06 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740LL01