特許

J-GLOBAL ID：200903058301119368

不揮発性メモリ素子及びそれを備えるメモリアレイ

発明者： 李 明 宰 ,  柳 寅 ▲けい▼ ,  李 殷 洪 ,  金 鍾 完 ,  金 東 徹 ,  安 承 彦
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-052433
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235142
出願日： 2007年03月02日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】自己存在ダイオード特性を有する不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】下部電極21と、下部電極21上に形成された第1型半導体酸化層22と、第1型半導体酸化層22上に形成された第2型半導体酸化層23と、第2型半導体酸化層23上に形成された上部電極24と、を備える不揮発性メモリ素子及びそれを備える不揮発性メモリアレイである。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ素子において、 下部電極と、 前記下部電極上に形成された第1型半導体酸化層と、 前記第1型半導体酸化層上に形成された第2型半導体酸化層と、 前記第2型半導体酸化層上に形成された上部電極と、 を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083LA02