特許
J-GLOBAL ID：200903058305863339
薄膜光電変換素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335609
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 効率が高く、安定性および再現性に優れた薄膜光電変換素子およびその製造方法を提供する。【構成】 Nd2Cu2Oxをターゲットとして、金属銅基体11の温度を650°Cで、スパッタガス中の酸素分圧を1×10-2の条件でスパッタし、複合銅酸化物薄膜12を得、さらに透明電極13を蒸着した。得られた複合銅酸化物薄膜12は、太陽光の分布に近い0.5〜0.8μmの吸収スペクトル特性を有し、高効率の光電変換素子であった。
請求項（抜粋）：
基体上に、主成分がA-Cu-O(但し、AはCa、Sr、Ba、Nd、Sm、Pr、Ce、Th、Ln(ランタノイド)のうちの少なくとも一種の元素を示す)で表わされる複合銅酸化物を有したことを特徴とする薄膜光電変換素子。
IPC (5件)：
H01L 31/04
, C01G 3/02 ZAA
, C22C 9/00
, H01L 39/24 ZAA
, H01L 21/203
