特許

J-GLOBAL ID：200903058308856600

多孔質絶縁膜の表面処理方法およびこれを用いた電子装置の製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240757
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068264
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率の多孔質絶縁膜を層間絶縁膜等に用いた際の、コンタクトプラグの埋め込み形状不良やコンタクト抵抗の上昇を防止する。【解決手段】 多孔質絶縁膜を形成した被処理基体11を、非水溶媒16中で還流して吸着水を除去し、続けてシリコーン化合物による表面処理層を形成する。【効果】 多孔質絶縁膜の吸着水が充分に除去され、また新たな水分の吸着が防止される。このためコンタクトプラグ形成時の脱ガスが防止され、埋め込み形状に優れた低抵抗の層間接続を達成することができる。

請求項（抜粋）：

被処理基体上に、多孔質絶縁膜を成膜する工程、前記多孔質絶縁膜の吸着水を除去する工程、前記多孔質絶縁膜表面にシリコーン化合物による表面処理層を形成する工程以上の工程を順次施すことを特徴とする多孔質絶縁膜の表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 P

Fターム (22件)：

5F033BA12 ,  5F033BA15 ,  5F033CA09 ,  5F033DA05 ,  5F033DA15 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA33 ,  5F033FA03 ,  5F058BA07 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF46 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ05