特許

J-GLOBAL ID：200903058317157812

半導体装置

発明者： 栂嵜 隆 ,  森 三樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313022
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップが回路配線基板にフリップチップ実装された構造において、信頼性の高い半導体チップの実装構造を実現する。【解決手段】 回路配線基板と半導体素子との間隙に樹脂が充填されたフリップチップ実装構造の半導体装置において、前記樹脂を、バンプ電極の周辺部の柔らかい第1の樹脂と、それ以外の部分の硬い第2の樹脂とを含む少なくとも2種類以上の樹脂から構成することにより、バンプ電極の横方向の広がり変形と樹脂のバンプ電極周辺部での応力を低減し、信頼性の高い半導体チップの実装構造を実現する。

請求項（抜粋）：

第1の面に接続端子を有する半導体素子と、前記半導体素子の第1の面と所定の間隙を保持して対向配置され、前記半導体素子の接続端子と対応する位置に形成された接続電極を有する回路基板と、前記半導体素子の接続端子と前記回路基板の接続電極とを接続する導電性バンプと、前記半導体素子と前記回路基板との間隙の少なくとも前記バンプの周囲の第1の領域を封止するように形成された第1の樹脂層と、前記半導体素子と前記回路基板との間隙の、前記第1の領域以外の第2の領域を封止するように形成された前記第1の樹脂層よりも硬い第2の樹脂層とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E